Ray痞Blog~

MSI P45D3  Platinum

CPU 插槽    Socket775
CPU (最高支援) Core 2 Extreme
系統匯流排   800/1066/1333/1600
晶片組     Intel® P45+ICH10R
DDR3 記憶體     DDR3 800/1066/1333/1600
記憶體通道      Dual
記憶體插槽     4
最大記憶體 (GB)    8
PCI-E X16     2
PCI-E GEN     Gen2 (1x16, 1x8)
PCI-E X1       2
IDE         1
SATA II    8 

(正式名稱爲SATA 3Gb/s，是第二代SATA接口，運行速度爲3.0 Gb/s。這個接口支持高達300MB/s帶寬吞吐量。) 
(註：SATA3   6Gb/s， 是第三代SATA接口，運行速度爲6.0Gb/s。這個接口支持高達600MB/s帶寬吞吐量)

(SATA1 只有1.5Gb/s -> 150MB/s)

RAID      0/1/5/10
網路介面    10/100/1000*1
TPM (HEADER)     1
USB 3.1 接孔 (背板)  8
USB 2.0 接孔 (背板)  6
音源接孔 (背板)         6
1394 接孔 (背板)      1
尺寸                           ATX
DRMOS                       Y
APS                              Y
CROSSFIRE                  Y  

----------------------

SSD Pioneer  

型號：APS-SL2-N 120G  (3D TLC) +5V、0.8A

記憶體顆粒：TLC

讀取速度高達 460 MB/s
寫入速度高達 295 MB/s
連續讀取速度高達 20,480 IOPS
連續寫入速度高達 40,960 IOPS
支援 SATA 3 介面

-----------

SSD Intel535 series 

model: SSDSC2BW120H6

記憶體類型 *MLC

硬體加密：256 bit AES

數據傳輸速率  6 Gbit/秒  (SATA3)
讀取速度  540 MB/秒
寫入速度  480 MB/秒
隨機讀取速度（4KB）24,000 IOPS
隨機寫入速度 （4KB）80,000 IOPS
隨機讀取速度(100% span)  24,000 IOPS
隨機寫入速度(100% span)   80,000 IOPS
讀取延遲 80 µs
寫入延遲 85 µs
微影技術 16 nm
終端到終端數據保護  Yes
加強型電源損耗數據保護技術   No
SSD溫度監測   No
無法修正位元錯誤率（UBER）      < 1 per 10^16 bits read
平均無故障時間（MTBF）   1,200,000 小時   =>50,000天=> 136年
市場區隔     手機
SSD用量標籤     消費者
SSD ARK ID     86738
認證        UL, CE, C-Tick, BSMI, Microsoft WHCK, VCCI, SATA-IO

--------------

SSD使用注意事項：

1、SSD存放超過70%以上會有掉速跟壽命上問題
所買大點好

2、資料放HDD 比較好 以後還有救援機會，遊戲、系統 放SSD(若考量遊戲頻繁讀取減緩SSD使用期，則另放HDD)

3、SSD讀/寫較快，唯資料保存性差，若遇硬碟損毀，資料幾乎無法復原。

HDD讀/寫較慢，因機械結構，若遇損毀，有較大機率可救回。要養成常備份

遊戲和系統要分開，原因在1跟2

4、系統跟資料分開安..系統丟SSD、資料丟HDD

5、SSD的缺點=>顆粒有寫入次數的限制

--------------------------------------

科普：何謂續航力（endurance）？

指輪船或飛機一次裝足燃料後，不再補充而能連續行駛或飛行的最大航程。

巡航速度下的最大航程爲續航力。

在這一速度下，船舶、飛機的油耗較小，可以支持較遠航程，但作戰條件下，可能不遵循巡航速度，所以續航力一般不敢保證，艦長或機長會根據實際油耗掌握補給。

-----------------

SLC跟MLC, TLC的差異為何?
分類 : 規格/容量與傳輸速度
SLC(Single-Level Cell)儲存一位元資料於每個記憶單元，使得SLC具有較低的功耗及較佳的續航力。

SLC的缺點包含較高的製造成本及較低的密度。
 

MLC(Multi-Level Cell)儲存兩位元資料於每個記憶單元，使其在同容量的NAND 快閃裝置內儲存雙倍的資料量。同時，MLC提供較低的製造成本。

然而，MLC相較SLC多儲存一位元於每個單元，使得MLC具有較高的功耗及較低的續航力。

TLC(Triple Level Cell)儲存三位元資料於每個記憶單元，使其在同容量的NAND 快閃裝置內儲存三倍的資料量。同時，TLC較上述的SLC和MLC提供最低的製造成本。

然而，TLC相較MLC多儲存一位元於每個單元，使得TLC具有最大的功耗及最低的續航力。

自註：TLC晶片架構的SSD較普遍(@2019年前)。

QLC(四級單元（Quad-level cells，簡稱QLC）

QLC每個SSD顆粒可儲存4bit資料，跟TLC相比，QLC的儲存密度提高了33%。

QLC不僅能經受1000次程式設計或擦寫迴圈（與TLC相當，甚至更好），而且容量提升了，成本也更低。

優點：QLC總成本更低，進行存儲時依靠更少驅動器來實現。此外，QLC還具有更多容量，儲存密度高，從而獲得更好的效益。
缺點：與SLC、MLC相比，QLC的性能和寫入壽命有所降低，但與TLC相當。
建議使用物件：比較適合把QLC SSD作為資料倉庫的用戶。如果您對檔案資訊存儲量的需求較大、平時對電腦進行輕度使用（寫入操作少）、或者追求較低價格，建議選用QLC。(自註：所以新技術不見得會比較好，QLC的自解=>適合拿來當備份碟???因為存入時間相對較少，且儲存密度相對較高，製造成本較低，所以入手成本相對就會變低...)

1、QLC壽命得到延長?!
原先外界預測QLC（四級單元）可讀寫壽命僅有100-150次，很多用戶擔心QLC不耐用。

後來美光、東芝等品牌商表示3D QLC快閃記憶體能經受1000次擦寫，比外界預測的壽命多了十倍。

其實，QLC的擦寫壽命有所延長要歸功於3D NAND。
一般採用更先進的製作工藝能顯著提升SSD的存儲容量，但是SSD壽命則會越短。

為了讓固態硬碟壽命不變的情況下，獲得更大的容量，英特爾和美光聯合開發了3D NAND技術。該技術的概念其實非常簡單：不同於將存儲晶片放置在單面，3D NAND技術可以把存儲單元堆疊最高32級(疊疊樂，堆積木)。

這樣一來，單個MLC存儲晶片上可以增加最高32GB的存儲空間，而單個TLC存儲晶片可增加48GB。

*註：文圖皆是網搜得來自用...不好意思..只是自己腦子常忘東忘西，要做比較時較方便...望各大版主不要計較..感恩

QLC固態硬碟的壽命有限，仍然比不上 SLC 和 MLC 存儲晶片。

故儘量不要把QLC固態硬碟作為下載檔案資訊存儲碟，作為資料倉庫則會更加合適。 (自註：前理解應沒錯,當備份碟就對了)